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838 G3,G4/IPL,SPL 详解

作者:yifaa | 来源:pdafans.com | 发表日期:2007-02-06 11:22:08

838 G3,G4/IPL,SPL 详解

【口袋数码- 新手入门】

许多朋友在问相关信息，在此作一个简要介绍，不对之处，大家共同指正

G3 G4
个人认为G3、G4是指主板上的ROM的芯片类型(许多人是说锁的类型，我觉得不妥)。主板上的ROM芯片实际上是一种Flash芯片，HTC采用的是M-system的Disk On Chip技术，简称DOC(译过来就是：芯片上的磁盘)，Myos里就有许多直接操作DOC的命令，比如pdocwrite,pdocread等等。DOC内置的驱动程序把芯片模拟成FAT磁盘来管理(似乎是利用TrueFFS加上DOS来实现的)，但其本质还是基于NAND Flash。
M-system的芯片似乎分两种，就是所谓的G3和G4。

128M的G3与G4的区别
1。主要区别是NAND Flash结构不同：
   G3由两片64Mflash组成，具体为:
      2*64MBflash(每Flash有2048Block，每Block有64个Page，每Page为512Byte)
   G4由1片128MBflash组成，具体为：
      1*128MBflash(含512个Block,每Block有128个Page，每Page为2048Byte)

2。区分
可从IPL/SPL来区分G3与G4
G3:IPL/SPL形如 x.xx x.xx.0000
G4:IPL/SPL形如 x.xx.0001
注意：此法并非100%准确，但99.9%以上是对的。要100%准确，只有把主板打开看芯片。

IPL SPL

IPL与SPL实质为Windows mobile的Bootloader里的两大部份，WM启动的程序是IPL--SPL--OS

1.IPL 英文全称是 Initial Program Loader,它负责主板的通电管理并把SPL装入RAM。
   IPL损坏了就把手机拿去扔进河里吧。

2.SPL 英文全称是 Second Program Loader,“第二次装系统”，就是负责装载OS操作系统到RAM中。另外SPL还包括许多系统命令，如mtty中使用的命令等。SPL损坏了还可以用烧录器重写。

编辑:mx119

文章目录：

838 G3,G4/IPL,SPL 详解 (END)

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目前有 60 个回应

yyx555 @ 2009-03-06 21:15:40

20楼

ding yi xia

风枪十二佬 @ 2008-11-16 14:01:54

19楼

感谢兄弟

学习到了

mosestlq @ 2008-07-07 23:31:54

18楼

感谢，长知识啊！

duwenqian @ 2008-06-28 15:27:13

17楼

谢谢！真长见识，顶一下

pormic @ 2008-06-12 09:42:34

16楼

顶！！！
象种扫盲技术帖不顶是说不过去的，楼主是好人啊。。。

kk5582 @ 2008-02-11 14:24:01

15楼

好東西鼎

HanBo2006 @ 2007-11-12 03:38:26

14楼

学习了，学习了，长知识了，谢谢!

MMPX1 @ 2007-09-28 10:50:27

13楼

讲解清楚明了，顶顶顶顶顶

与我的一样，能上。我早就上了哟

[ 本帖最后由 MMPX1 于 2007-9-28 10:53 编辑 ]

ym2008 @ 2007-09-24 00:02:33

12楼

非常感谢老大的讲解，我的是Qtek9100,刷WM5、WM6都没问题，只是IPL/SPL版本不一样，IPL是1.03/SPL是3.08，到坛里找了很长时间也没有彻底解决的办法，请老大给出个招，谢谢！

alanjun @ 2007-09-23 23:26:26

11楼

终于搞清楚了这个问题，但是我还要问个问题，说明上有128M ROM,64M RAM,但我在系统的内存中看

存储：

程序

总内存42。55MB

总内存44。01MB

使用中40.75MB

使用中23。02MB

剩余1.8MB

剩余20。99MB

以上是怎么回事呢？请哪位高手解释一下

fastid @ 2007-06-20 02:02:15

10楼

真不错!~~~~

xtzhb @ 2007-05-23 17:26:36

9楼

这个不错，讲解的很清楚。

zmgbyn @ 2007-05-23 16:24:20

8楼

Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。

1.1 性能比较

Flash闪存是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单；而NOR则要求在进行擦除前，先要将目标块内所有的位都写为0。擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为1～5s；擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时，块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。因此，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。

*NOR的读取速度比NAND稍快一些。

*NAND的写入速度比NOR快很多。

*NAND的擦除速度远比NOR快。

*大多数写入操作需要先进行擦除操作。

*NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

1.2 接口差别

NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内容的每一字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。

1.3 容量和成本

NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。

NOR Flash占据了大部分容量为1～16MB的内存市场，而NAND Flash只是用在8～128MB的产品当中。

1.4 可靠性和耐用性

采用Flash介质时，一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

（1）寿命（耐用性）

在NAND闪存中，每个块的最大擦写次数是100万次，而NOR的擦写次数是10万次。NAND存储器除了具有10：1的块擦除周期优势外，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位，每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。

（2）位交换

所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下（很少见，NAND发生的次数要比NOR多），一个比特位会发生反转或被报告反转了。

一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障就可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决。

位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

（3）坏块处理

NAND器件中的不坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理。将导致高故障率。

1.5 易用性

可以非常直接地使用基于NOR的闪存，像其它存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

1.6 软件支持

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是闪存技术驱动程序（MTD）。NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时，所需要的MTD要相对少一些。许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件，其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Sotrware System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿零点和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

目前，NOR Flash的容量从几KB～64MB不等，NAND Flash存储芯片的容量从8MB～128MB，而DiskonChip可以达到1024MB。