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838 G3,G4/IPL,SPL 详解
作者:yifaa | 来源:pdafans.com |
发表日期:2007-02-06 11:22:08
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838 G3,G4/IPL,SPL 详解
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【口袋数码-
新手入门】
许多朋友在问相关信息,在此作一个简要介绍,不对之处,大家共同指正
G3 G4
个人认为G3、G4是指主板上的ROM的芯片类型(许多人是说锁的类型,我觉得不妥)。主板上的ROM芯片实际上是一种Flash芯片,HTC采用的是M-system的Disk On Chip技术,简称DOC(译过来就是:芯片上的磁盘),Myos里就有许多直接操作DOC的命令,比如pdocwrite,pdocread等等。DOC内置的驱动程序把芯片模拟成FAT磁盘来管理(似乎是利用TrueFFS加上DOS来实现的),但其本质还是基于NAND Flash。
M-system的芯片似乎分两种,就是所谓的G3和G4。
128M的G3与G4的区别
1。主要区别是NAND Flash结构不同:
G3由两片64Mflash组成,具体为:
2*64MBflash(每Flash有2048Block,每Block有64个Page,每Page为512Byte)
G4由1片128MBflash组成,具体为:
1*128MBflash(含512个Block,每Block有128个Page,每Page为2048Byte)
2。区分
可从IPL/SPL来区分G3与G4
G3:IPL/SPL形如 x.xx x.xx.0000
G4:IPL/SPL形如 x.xx.0001
注意:此法并非100%准确,但99.9%以上是对的。要100%准确,只有把主板打开看芯片。
IPL SPL
IPL与SPL实质为Windows mobile的Bootloader里的两大部份,WM启动的程序是IPL--SPL--OS
1.IPL 英文全称是 Initial Program Loader,它负责主板的通电管理并把SPL装入RAM。
IPL损坏了就把手机拿去扔进河里吧。
2.SPL 英文全称是 Second Program Loader,“第二次装系统”,就是负责装载OS操作系统到RAM中。另外SPL还包括许多系统命令,如mtty中使用的命令等。SPL损坏了还可以用烧录器重写。
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| 编辑:mx119 |
文章目录:
838 G3,G4/IPL,SPL 详解 (END)
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| wblqx @ 2007-02-03 16:42:25 |
2楼 |
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| dingyu @ 2007-02-03 18:01:45 |
4楼 |
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终于有个说明白的了
我的8125刚买来的时候,系统信息里面有
芯片类型:m-system G3
刷了ROM之后就没有了 |
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| fellow @ 2007-02-03 22:42:14 |
6楼 |
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| 小虫哥 @ 2007-02-03 22:46:22 |
7楼 |
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| xdqyy @ 2007-02-04 21:29:49 |
9楼 |
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| netrix @ 2007-02-05 01:34:38 |
11楼 |
| 不错,简单明了,长了知识,是今天上PDAFANS的最大收获,希望再接再厉,写出更好的文章! |
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| YangCD @ 2007-02-05 02:42:06 |
12楼 |
| 多谢赐教!!!多点这样的文章我们可以天天长知识了,多谢! |
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| 蓝天星空 @ 2007-02-05 13:39:34 |
14楼 |
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| gluon @ 2007-02-05 16:23:20 |
15楼 |
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| zzpro @ 2007-02-06 00:02:58 |
16楼 |
| 顶上,不知道我的德版818+ T-MBOILE MDAII 能不能上WM6呢 |
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| yyqing @ 2007-02-06 10:07:30 |
19楼 |
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| yifaa @ 2007-02-06 12:31:08 |
21楼 |
能上.但现在WM6有许多问题.还是建议不上.:) :) |
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| 乡下佬 @ 2007-02-06 16:49:55 |
23楼 |
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| 谢谢。又学习了:mad: :mad: :mad: :mad: :mad: |
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| 星光火石 @ 2007-02-12 01:01:16 |
25楼 |
多谢了,对新手帮助很大啊 多谢了,对新手帮助很大啊 |
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| netcow @ 2007-02-12 09:39:36 |
27楼 |
我的ipl 是1.27.0001
spl是1.25.0000
算什么类型? |
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| yifaa @ 2007-02-12 11:19:57 |
29楼 |
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| jeteo @ 2007-02-12 11:39:12 |
30楼 |
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| GaoDY @ 2007-02-14 13:59:51 |
32楼 |
| 了解了~~~多谢LZ~~~:lol: p:b p:b |
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| 看完之后启发很多,如果有人刷傻IPL,别扔到河里,扔到我家就可以拉 |
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| goowie @ 2007-02-15 10:11:11 |
34楼 |
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| 蓝山老胡 @ 2007-02-15 10:41:34 |
35楼 |
1,请问IPL是在字库(falsh)里面吗?
错刷了IPL,换字库应该可以解决吧?字库坏了,我换字库IPL也变了版本,这么判断IPL在字库里。
2,还有一个问题,换了字库有些机器原电不能开机,组电可以开机,这个又是什么问题 |
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| yifaa @ 2007-02-15 13:13:05 |
36楼 |
回复 #36 蓝山老胡 的帖子 对,应该改一下,还是别扔进河里,换字库好一些.:P :P
第二个问题,看我的另一个贴
http://bbs.pdafans.com/thread-327354-1-1.html
[ 本帖最后由 yifaa 于 2007-2-15 13:24 编辑 ] |
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| 呵呵!楼主对G3、G4的解释不是很准备,如6700的DOC芯片是1G位的,也就是128M的芯片,芯片上明确写着DM4331-D1G G3,对IPL、SPL的功能解释是真对使用NOR的FLASH的,DOC芯片作为装载系统时IPL只初始化CPU及做内存映射再将和正常的系统功能差不多的BOOTLOADER放到RAM中,之后就交给BOOTLOADER去完成了 |
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| yifaa @ 2007-02-15 19:37:00 |
38楼 |
WM的开发文档里有Bootloader的相关说明,明确有IPL和SPL两大部分.IPL具体还做了些什么,也没有完全的资料参考.
[ 本帖最后由 yifaa 于 2007-2-15 19:42 编辑 ] |
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長見\識了啊.
:cool: :cool: :cool: |
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| zsqhb @ 2007-03-26 20:17:34 |
41楼 |
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| 欧阳一天 @ 2007-05-01 10:35:16 |
43楼 |
| 真是长知识,我是菜鸟,就希望看到这样的文章,谢谢p:b p:b p:b p:b |
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| vendee @ 2007-05-01 11:16:00 |
44楼 |
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| zmgbyn @ 2007-05-23 16:24:20 |
48楼 |
Flash主要分为NOR和NAND两类。下面对二者作较为详细的比较。
1.1 性能比较
Flash闪存是非易失存储器,可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件进行写入操作前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作十分简单;而NOR则要求在进行擦除前,先要将目标块内所有的位都写为0。擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为1~5s;擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时,块尺寸的不同近一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距。统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。因此,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。
*NOR的读取速度比NAND稍快一些。
*NAND的写入速度比NOR快很多。
*NAND的擦除速度远比NOR快。
*大多数写入操作需要先进行擦除操作。
*NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。
1.2 接口差别
NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内容的每一字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND的读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作。很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其它块设备。
1.3 容量和成本
NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半。由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。
NOR Flash占据了大部分容量为1~16MB的内存市场,而NAND Flash只是用在8~128MB的产品当中。
1.4 可靠性和耐用性
采用Flash介质时,一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。
(1)寿命(耐用性)
在NAND闪存中,每个块的最大擦写次数是100万次,而NOR的擦写次数是10万次。NAND存储器除了具有10:1的块擦除周期优势外,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8位,每个NAND存储器块在给定时间闪的删除次数要少一些。
(2)位交换
所有Flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。
一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障就可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决。
位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
(3)坏块处理
NAND器件中的不坏块是随机分布的。以前做过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理。将导致高故障率。
1.5 易用性
可以非常直接地使用基于NOR的闪存,像其它存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
1.6 软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是闪存技术驱动程序(MTD)。NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时,所需要的MTD要相对少一些。许多厂商都提供用于NOR器件的更高级的软件,其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Sotrware System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿零点和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
目前,NOR Flash的容量从几KB~64MB不等,NAND Flash存储芯片的容量从8MB~128MB,而DiskonChip可以达到1024MB。 |
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| xtzhb @ 2007-05-23 17:26:36 |
49楼 |
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| fastid @ 2007-06-20 02:02:15 |
50楼 |
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终于搞清楚了这个问题,但是我还要问个问题,说明上有128M ROM,64M RAM,但我在系统的内存中看
存储:
程序
总内存42。55MB
总内存44。01MB
使用中40.75MB
使用中23。02MB
剩余1.8MB
剩余20。99MB
以上是怎么回事呢?请哪位高手解释一下 |
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| ym2008 @ 2007-09-24 00:02:33 |
52楼 |
| 非常感谢老大的讲解,我的是Qtek9100,刷WM5、WM6都没问题,只是IPL/SPL版本不一样,IPL是1.03/SPL是3.08,到坛里找了很长时间也没有彻底解决的办法,请老大给出个招,谢谢! |
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| MMPX1 @ 2007-09-28 10:50:27 |
53楼 |
讲解清楚明了,顶顶顶顶顶
与我的一样,能上。我早就上了哟
[ 本帖最后由 MMPX1 于 2007-9-28 10:53 编辑 ] |
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| kk5582 @ 2008-02-11 14:24:01 |
55楼 |
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| pormic @ 2008-06-12 09:42:34 |
56楼 |
顶!!! 象种扫盲技术帖不顶是说不过去的,楼主是好人啊。。。 |
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| 风枪十二佬 @ 2008-11-16 14:01:54 |
59楼 |
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| yyx555 @ 2009-03-06 21:15:40 |
60楼 |
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| lums2 @ 2009-07-17 16:08:54 |
61楼 |
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